一、公司介绍：

        Mattson Technology Inc.是一家美国科技公司，由Brad Mattson于 1988 年创立，总部位于加利福尼亚州弗里蒙特。该公司在作为干法剥离设备领先供应商，进入半导体设备行业后扩展了设备组合，包括等离子蚀刻、快速热退火和毫秒退火。

        MTI设计、制造、销售用于集成电路制造的半导体晶圆加工设备并在全球范围内提供支持，是全球半导体行业等离子和快速热处理设备的主要供应商。其处理设备采用创新技术，为当前和下一代集成电路的制造提供先进的处理能力和高生产率。该公司设备和技术被全球领先的内存代工厂和逻辑设备制造商所采用。并在在原子表面工程TM 方面的新创解决了最关键的 3D 逻辑和内存制造挑战。

        MTI已经成立 30 多年，将继续全力致力于开发工艺设备和技术，以满足客户对消费电子市场高生产力解决方案不断变化的需求。专注于提供“on-wafer results”，这是我们为客户提供不断增加的价值的理念的基础。

        该公司部分由北京市政府国有拥有，是全球半导体设备市场的制造商和供应商。其主要产品是干法剥离系统、快速热处理以及蚀刻。

        该公司为代工厂、内存和逻辑设备等客户和制造商提供产品。

• 2013 年 12 月，Mattson Technology 宣布推出新一代蚀刻系统 paradigmE XP，该系统扩展了公司的蚀刻技术，使芯片制造商能够应对尖端三维半导体制造的工艺挑战。这款新系统已于 11 月通过了先进 DRAM 设备技术的认证。

• 2016 年 5 月，马特森科技与北京亦庄国投（“亦庄龙”）联合宣布，亦庄国投此前宣布的对马特森的收购已经完成。

• 2022 年，应用材料公司起诉马特森科技公司，指控其窃取商业机密。2023 年 11 月，马特森科技公司对应用材料公司提起反诉。

二、公司产品

1、Dry Strip

        干法剥离是在图案化工艺完成后从晶圆上去除掩蔽层。目的是尽快从晶圆上去除掩 蔽材料，而不损坏任何表面材料。

        MTI是干法剥离市场的领导者，其剥离系统提供创新的晶圆处理架构，以降低集成电路制造的成本。

SUPREMA产品系列

        SUPREMA系列等离子干法剥离和高级图案化薄膜去除系统具有独特的 ICP源和双室设计。

        每个室均独立运行，配有专用的真空传输模块，可实现最大的工艺灵活性和可扩展性。

        SUPREMA系列干法剥离和高级图案化薄膜去除系统在批量生产中表现出高工艺灵活性、出色的工艺性能和低拥有成本，是全球半导体器件制造中光刻胶剥离和高级图案化薄膜去除的首选工具。

2、Plasma ETCH

        蚀刻是从晶圆表面选择性地去除掩模图案材料，以在晶圆表面形成所需图案的过程。 

        等离子蚀刻是使用射频(RF)激发的等离子体从各种气体中产生化学反应物质。反应性等离子体暴露在晶圆表面并蚀刻掉未受掩模层保护的材料。

        等离子蚀刻产品建立在我们的高通量平台上，以提供高整体设备效率。MTI等离子蚀刻产品采用专有的法拉第屏蔽电感耦合等离子(ICP)源与蚀刻偏压控制相结合。

Paradigm E产品系列

        Paradigm E等离子蚀刻系统基于具有接地法拉第屏蔽源设计的专利电感耦合等离子(ICP),具有独立控制离子能量和离子密度的独特能力。

        Paradigm EXP系列产品对晶圆上器件具有优异的刻蚀选择性及较低的等离子损伤，广泛应用于半导体前端和后端制造中的薄膜刻蚀。

        Paradigm E PAD系列产品具有蚀刻速率高、等离子损伤小、耗材成本低等优点，是唯一实现量产的ICP PAD蚀刻机。

3、Rapid Thermal Processing

        RTP 是指使用高强度灯将硅晶片加热到高温(高达1200℃或更高)以设置半导体器件的电气特性的过程。

        MTI的Helios 系列 RTP 系统提供独特的双面加热 RTP 技术，可在平衡晶圆正反面温度的同时，实现最高的晶圆升温速率，消除图案负载效应，提供独特的晶圆应力管理能力，满足不同基板厚度和器件结构的RTP工艺技术要求，同时实现最高的系统生产率。

Helios XP

        Helios XP采用先进的温度测量和控制系统，并结合了针对不同晶圆发射率的主动补偿算法。Helios XP可以完全满足不同技术节点(130 nm 至5 nm 及以下)制造不同半导体器件的技术要求。

        Helios XP还表现出高可靠性、较长的平均清洁间隔时间，以及批量生产中超过20%至30%的总体拥有成本优势。它是先进半导体开发和制造的理想RTP系统。

Helios C200

        Helios C200具有先进的温度测量和控制系统，并结合了针对不同晶圆发射率的主动补偿算法。Helios  C200  RTP 系统将卓越的技术性能与出色的工具可靠性相结合。它是200毫米半导体开发和制造的理想RTP解决方案。

4、Millisecond Anneal

Millios

            Millios毫秒退火系统是Mattson Technology针对先进晶体管形成、电介质钝化、金属硅化物和其他材料表面退火而提供的解决方案，这些退火过程需要极短的退火时间并进行精确控制。Millios延续了Mattson Technology的理念，即为客户提供具有最高系统生产力的尖端技术。

        Millios基于专有的水壁氩弧灯技术。该系统设计实时监测和控制晶圆正面和背面的温度。该系统具有出色的晶圆温度控制能力，包括独特的毫秒退火脉冲持续时间调节能力和集成的尖峰退火-闪光毫秒退火工艺能力。

        它既能满足毫秒退火工艺的技术要求，又能有效管理晶圆热应力，避免晶圆破损问题。Millios是先进晶体管制造中超浅结形成、高k材料钝化和金属硅化物形成工艺的最佳技术解决方案。

        它也适用于其他材料的表面退火工艺。

三、公司官网

        https://mattson.com/