| 制程区分 | 产品系列 | 产品简介及应用 |
| ALD | Centura iSprint SSW | 改进填充工艺的完整性，有助于提高钨体积(有可能降低电阻),制造出 更坚固耐用的特征结构，缓解对介电质和刻蚀开口步骤的要求，从而改善性能、器件设计和成品率。 |
| Olympia | Olympia ALD系统能够适应所需的多种前体，最大限度避免了产生潜在的有害副产物和微粒(可能在化学物自由混合时形成)。此外，相比时间分散的传统ALD,通过避免每次化学物处理之后的抽吸/冲洗步骤，该系统能够将生产力提升50%。 | |
| 外延生长 | Centura Epi 200mm | Centura Pronto ATM Epi高生长速率腔室是对现有的ATM和RP外延腔 室的补充，可以在150/200mm单室中生长厚膜和薄膜(单次生长<20μ m到150μm),生产效率高，生长速率达到每分钟6μm。 |
| Centura Prime Epi | Centura Prime Epi系统面向3x纳米及更先进节点，集成的这些工序消除了会对3x纳米以上先进节点器件造成损坏的HF DIP和后续的高温氢气烘焙工序。相比于独立系统，将界面污染减轻了一个数量级以上。 | |
| Pattern Shaping | Sculpta Pattern-Shaping System | Sculpta用于高级逻辑节点中最关键的图案层。它可以用来降低图案化方 案的复杂性，以实现功耗、性能、面积、成本和上市时间(PPACt)的好 处 |
| 模拟 | Centura DXZ CVD | Centura DxZ可提供高达100WPH(3,000A PE TEOS和硅烷等离子体) 和55wph(3000A SACVD USG)的产能。对称式设计和小腔室容量，对 于沉积和清洁化学物可实现高效的气体利用率，这有助于降低总体拥有成本。 |
| Centura Epi 200mm | Centura Epi系统每个采用辐射加热的工艺腔室均可以提供精确和可重复的沉积条件控制，并可以实现完全无滑移的薄膜、出色的薄膜厚度和电阻率均匀性。可支持先进的低温外延和多晶沉积工艺，包括锗和硅锗。 | |
| Centura Etch刻蚀 | 在新的200mm技术上，应用材料公司Centura刻蚀反应器解决了以下难 题：MEMS深宽比>100:1的硅刻蚀、SJMOSFET一体化硬掩模开槽带以 及面向LED和功率器件的氧化铟锡和氮化镓等新材料。 | |
| Endura PVD | Endura能够以严格的薄膜厚度控制、出色的底部覆盖率和高共形性沉积 多种超纯薄膜，该系统最多可容纳九个工艺腔室，从而能够混搭腔室，以创建集成的多步工艺序列。 | |
| Mirra CMP 200mm | 应用材料公司的Mirra系统可以用来抛光硅、STI氧化物、多晶硅和金属 钨，它还集成了Mesa清洗器，可以有效清除研磨后的晶圆表面上附着的 研磨液，阻止研磨液残留，从而最大限度地减少微粒和水印带来的产品缺陷 。 | |
| Producer CVD | Producer平台能处理150毫米、200毫米和300毫米晶圆，其创新的TwinChamber双腔室结构可同时处理多达六片晶圆，具有极佳的生产效率。借助陶瓷加热器和腔室组件以及用于腔室清洁的远程等离子体源，Producer系统可将CVD膜的缺陷率降至最低。 | |
| CMP | Mirra 200mm | Mirra CMP系列产品适用于150毫米和200毫米晶圆，实现表面平坦化处理。Mirra系列提供终点检测、在线测量和先进制程控制。Mirra Durum系统进行晶圆干进/干出，而且集成了清洗、干燥、去除率测量和晶圆ID识别功能，适用于晶圆大规模量产，同时保证优越的晶圆表面质量。 |
| Opta | Opta CMP适用于大规模量产的先进逻辑器件和存储器件制造。Opta提供了最高的吞吐密度在晶圆厂的总体空间占用更小。Opta适用于各种CMP应用和细分领域，包括金属和非金属CMP、单步批量抛光和多步顺序抛光，以及厚膜和薄膜去除。 | |
| Reflection LK | 适用于铜镶嵌、浅沟槽隔离、氧化物、多晶硅和金属钨等应用。该系统适用于45nm以下器件，下压力小。该平台集成了最新的抛光、清洗和干燥技术，采用全浸入式MarangoniTM蒸汽干燥技术，消除水印缺陷和微粒污染。 | |
| Reflextion LK Prime | Reflexion LK Prime CMP可在FinFET和3D NAND应用中达到纳米级精 度。其使用单个抛光区和单个清洗区的能力，可以按顺序并行或按批进行生产。 | |
| 刻蚀 | Centris Sym3 Y | 该系统适用于领先的存储器和晶圆代工逻辑节点上的关键导体刻蚀和EUVL图形化应用。具有高气导室架构和创新的脉冲射频源技术，静电吸盘和边缘控制技术。 |
| Centura Etch | Centura的单晶圆、多腔室架构支持多达四个工艺腔室的集成、连续晶圆加工。 | |
| Centura Silvia Etch | 创建垂直通道实现3D互连，其无耗材的工艺套件来降低了经营成本。高密度等离子源能在所有晶圆级封装应用中实现最高的硅和氧化硅刻蚀率。 | |
| Centura Tetra EUV先进光掩模系统 | Centura Tetra EUV系统是应用材料公司为新式光刻系统中的极紫外光 (EUV)光掩膜。EUV光掩膜采用13.5nm波长的光源，微缩特征尺寸。 | |
| Centura Tetra Z光掩膜 | 满足10nm及以下逻辑和存储器件的光掩膜刻蚀需求，可满足10nm及以 下逻辑和存储器件的光掩膜刻蚀需求。其通过控制能够实现特征尺寸和图 形密度上的均匀、几乎无缺陷的线性精确刻蚀。它适用于铬、氮氧化钼硅 (MoSiON)、硬掩模和石英等材料，实现高精度的图案转印保真度。 | |
| Producer Etch | 采用获得专利的Twin Chamber设计，适用于90nm及以下节点的高产量 刻蚀应用。其采用双腔室、双前置式晶圆传送盒(FOUP)、双机器人工厂接 口提供最高的产能密度，同时可对单腔室性能和工艺进行控制。每个双腔 室均可以单晶圆或双晶圆模式运行。 | |
| 光掩模 | Aera 4 | Aera 4掩膜检测系统采用193nm工作波长的第四代检测工具，结合真实 空间成像技术与前沿的高分辨率成像技术。Aera 4系统配备了新的光刻级 镜头，拥有高分辨率应用和空间检测中具有更出色的信噪比。 |
| Alta 4700DP | Alta 4700DP系统搭载高成本效益的二元掩膜和相移掩膜(PSM)图形化 技术，高NA(数值孔径)光学元件与DUV激光器结合。其采用多趟写入 技术来提高光刻质量，通过新的数据路径来支持实现更精细的地址网格。 | |
| Applied Sigmameltec CTS | Sigmameltec的CTS系统生成具有可重复特性和超低缺陷水平的高品质 光刻胶层，采用优化旋转腔、严格控制涂胶后烘焙和冷却板的温度、172 nm UV处理、集成式边缘胶滴去除装置、选装HMDS助粘剂蒸镀腔。 | |
| Applied Sigmameltec MPC | 掩模清洗工艺已采用更温和的化学制剂结合高频超声波来完成，以去除更 小的微粒。其情节功能可通过下游的等离子体、两个湿腔间的工艺隔离、 具有“声刷”效应的高频超声波头、具有“声刷”效应的高频超声波头来 去除有机材料等。 | |
| Applied Sigmameltec SFB | Sigmameltec的SFB系统的烘焙腔通过对周边热区域进行优化，并利用 气流进行精细调节，具有内在温度均匀性。其可通过双烘培模块、密封烘 培环境、稳态温度控制、多个N2流区、冷却板配备珀耳帖元件、烘焙与 冷却模块之间的快速转换来实现温度控制和冷却。 | |
| Applied Sigmameltec SFD | Sigmameltec的SFD系统采用双腔室设计，将显影与最终冲洗步骤分 离，腔室之间采用湿式掩模转移，以避免在显影后冲洗与最终冲洗步骤之 间，掩膜变干。精确控制显影液温度和流量可确保不同掩模的CD平均稳 定性。其可采用显影和最终冲洗腔室将化学物隔离、双高度区域和平滑的 腔室设计消除回溅、宽线性缝隙式喷头可确保均匀的显影液流、单独的冲 洗喷嘴抑制显影工艺。 | |
| 化合物半导体 | Centura DXZ CVD | Centura DXZ系统采用单晶圆、多腔室架构，可提供高达80wph的正硅酸 乙酯(TEOS)和碳化硅(SiC)吞吐量(3,000APE正硅酸乙酯和等离子 硅烷)和高达35wph的非掺杂二氧化硅晶体(USG)吞吐量(2000A SACVD USG)。其采用了非消耗型电阻加热器和陶瓷部，由零消耗部件组 成。借助单晶圆多腔室架构，Centura DxZ可提供高达100WPH(3,000 A PE TEOS和硅烷等离子体)和55wph (3000A SACVD USG)的产能。 |
| Centura Etch | 在新的200mm技术上，MEMS深宽比>100:1的硅刻蚀、SJ MOSFET一 体化硬掩模开槽带以及面向LED和功率器件的氧化铟锡和氮化镓等新材料 。Centura的单晶圆、多腔室架构支持多达四个工艺腔室的集成、连续晶 圆加工。其升级增压器套件采用新的含铌陶瓷静电卡盘和钇涂层工艺腔室 EyeD全光谱端点和腔室状态分析PC工具集、EyeD全光谱端点和腔 室状态分析PC工具集、EyeD全光谱端点和腔室状态分析PC工具集 | |
| Endura PVD | Endura能够以严格的薄膜厚度控制、出色的底部覆盖率和高共形性沉积 多种超纯薄膜，该系统最多可容纳九个工艺腔室，从而能够混搭腔室，以 创建集成的多步工艺序列。 | |
| Producer CVD | Producer平台能处理150毫米、200毫米和300毫米晶，Producer系 统可将CVD膜的缺陷率降至最低。其Twin Chamber双腔室结构可同时处 理多达六片晶圆Twin Chamber双腔室结构可同时处理多达六片晶圆。 | |
| CVD | Centura DXZ | DXZ CVD系统配备了增强的功能，能可靠而细致地处理碳化硅(SiC)晶 圆；Centura DXZ系统设计显著优化了成本(例如零耗材的处理套件)、 吞吐量、易维护性和可靠性。Centura DxZ CVD腔室采用了非消耗型电阻 加热器和陶瓷部件，可显著改善成本、产能、易维护性和可靠性。 |
| Centura Ultima HDP | Centura Ultima HDP CVD 200毫米和300毫米系统提供高密度等离子 CVD工艺制程，可提供介电质薄膜沉积和无孔洞间隙填充工艺。应用广 泛，包括沉积浅沟槽隔离层(STI)、金属前介电质层(PMD)、层间介 电质层(ILD)、金属层间介电质层(IMD)和钝化保护层。 | |
| Centura iSprint SSw | 利用独特的“选择比”抑制机制，自底向上进行填充，避免出现缝隙或孔 洞。改进填充工艺的完整性，有助于提高钨体积(有可能降低电阻),制 造出更坚固耐用的特征结构。 | |
| Endura Volta | Endura Volta是一种集成材料解决方案，通过选择性钨化学气相沉积技术 解决了微缩导线中的电阻问题。它消除了导线填充过程中的衬垫/阻挡层 和成核层，实现了无缝隙的填充。 | |
| Endura Volta Cobalt | Endura Volta Cobalt够形成便于修复不连续形貌和形成健壮种子层的连续薄共形层。这种高品质层进而能够在最先进的节点下促进无孔洞铜间隙填充，同时用于衬里和选择性金属盖帽工艺。 | |
| Endura Volta W | Endura Volta W腔体能够使用专业化学品来沉积W碳薄膜。此外，如果 薄膜主要为W薄膜，它表现为批量W薄膜的成核基板。 | |
| Producer XP Precision | Precision腔室可均匀地进行层间沉积，达到栅叠层所需的薄膜质量，从 而能够帮助芯片制造商从平面架构过渡到3D NAND生产。Precision系 统还能够沉积新型硬掩膜薄膜。 | |
| Producer PrecisionAPF | Producer Precision APF PECVD系统能够为关键图形化工序生成一系列可剥除的无定形碳硬掩膜。 | |
| Producer AvilaPECVD | Producer Avila PECVD系统的高品质氧化物和氮化物系列薄膜可满足 TSV(硅通孔)和其他先进封装应用所需的低热预算和高产量需求。 | |
| Producer Black Diamond | Applied Producer Black Diamond 3扩展了应用材料公司在纳米多孔低 K介电层技术领域的领先地位，以便微缩28nm及以下节点的先进互联层。 | |
| Producer Blok PECVD | Producer BLOk(低k阻挡层)PECVD系统可生成行业领先的超低k铜阻挡层和刻蚀阻挡层薄膜，用于镶嵌互连应用。 | |
| Producer CVD | Producer平台能处理150毫米、200毫米和300毫米晶圆。其创新的 Twin Chamber⁴双腔室结构可同时处理多达六片晶圆，具有极佳的生产 效率。Producer系统可将CVD膜的缺陷率降至最低。 | |
| Producer Celera | Producer Celera PECVD系统可以沉积可调压缩和拉伸高应力氮化硅薄 膜，用于45nm及以下节点的应变工程。 | |
| Producer DARC | Producer DARC PECVD是行业领先的抗反射涂层薄膜，可在90nm及以 下节点应用中，最大限度降低反射率、减少光刻胶中毒，提高光刻胶的附 着力。DARC 193广泛用于传统的栅极、多晶硅和铝互连光刻应用，对低 k介电薄膜具有出色的附着力，特别适合双镶嵌互连方案。 | |
| Producer Eterna FCVD | Producer Eterna Flowable CVD系统是唯一可确保完全、无孔洞地填充 这些临界间隙的技术。Eterna FCVD工艺可填充极端尺寸(深宽比高达 30:1)的间隙，包括高度不规则的间隙和具有复杂形貌的间隙。 | |
| Producer HARP | Producer HARP(高深宽比工艺)是一种非等离子体CVD热氧化工艺，可满足高级逻辑FinFET和存储器技术节点的STI(浅沟槽隔离层)和PMD(金属前电介质层)等应用的严格间隙填充要求。 | |
| Producer InVia | Producer InVia系统提供CVD创新工艺，可在先通孔和中通孔TSV工艺 中沉积高度共形且电学性能稳健的介电衬层。 | |
| Producer Nanocure 3 UV Cure | Producer Nanocure 3专为与Producer Black Diamond3沉积系统配 合使用而设计，以扩展应用材料公司在纳米多孔低k介电层技术领域的领 先地位，将先进互连结构的缩放推进到28nm及以下节点。 | |
| Applied Producer XP Precision Draco CVD | Draco硬掩模比传统DRAM电容器硬掩模高30%以上。它可以将沉积的 硬掩模厚度减少30%,从而缩小电容器的深宽比，降低刻蚀工艺的难度 | |
| 钴产品套件 | 可以使用钴作为导电材料，从而维持高性能逻辑晶体管和互连的缩放。 | |
| 离子注入 | VIISta 900XP | VIISta 900XP系统为中电流离子注入市场提供所需的精确度、清洁度、生 产效率及生产价值。此外，VIISta 900XP可扩展能量范围，在300keV (+电荷状态)和600keV(++电荷状态)下运行，使其在次级百万电子 伏特井应用方面，比传统批次高能量工具具有更高的生产效率。 |
| VIISta 3000XP | VIISta 3000XP采用维利安双磁铁单晶圆架构，可提供先进高能应用所需 的角度精度，还非常适合作为中等电流系统的备用系统和中等电流系统的 备用系统。 | |
| VIISta 9003D | Varian VIISta 9003D系统适用于2xnm以上先进结点的大规模量产。其 束线架构专门采用了必要的角度精度和束形控制设计，以便在逻辑finFET 和3D存储结构的各种应用中实现精确的掺杂物放置和最小的晶圆内与晶 圆间变异性。 | |
| VIISta HCP | VIISta HCP的双磁铁带状波束架构，可将晶圆与注入源反应腔内的沉积以 及波束线元件内的波束撞击所产生的微粒相隔离，以提供准确、可重复以 及相互联动的入射角控制，实现真正的零角度和精准倾斜角度注入。 | |
| 维利安VIISta PLAD | 维利安VIISta PLAD等离子式、超高剂量注入技术提供经生产验证的可靠 方法，采用低能量工艺(不会干扰敏感的电路特征),在整个晶圆表面快 速注入高浓度掺杂物。 | |
| Varian VIISta Trident | VIISta Trident平台采用独特的闭环控制系统，是唯一可测量和修正束流角度的高电流系统，能够提供高度准确、可重复的入射角控制，达到真正的零度角和精准的高倾斜角度注入。 | |
| PVD | Axcela | Axcela PVD系统可形成厚达8μm的厚膜，标配沉积三种不同材料的能 力，并且可以选择共溅射以提高沉积速率。该系统结构紧凑，可采用150 200、300或330mm等多种组合配置。系统可满足多种应用需求，以 及最优的工艺和产量要求。 |
| Charger UBM | Charger系统专为UBM、RDL和CMOS影像传感器应用而设计，它采用 线性架构，其晶圆产量是其他同类设备的两倍以上，达到市面上最高的生 产效率。此外，系统集成最新的Volaris预清洗技术，在两次保养间隔期 内可处理更多的晶圆，达到极长的无故障运行时间，并实现目前最低的单 位晶圆成本。 | |
| Endura底层凸块金属化 | 提供在广泛的厚度(<1,000A到>1μm)之上具有出色的均匀度的薄膜。 | |
| Endura ALPS PVD(ALPS Co &Ni) | 系统为高深宽比结构的栅极和接触孔应用提供简单的高性能金属硅化物解 决方案。 | |
| Endura Amber PVD | 系统通过铜回流，增强了PVD沉积工艺，实现自底向上的填充。 | |
| Endura Avenir RF PVD | Endura Avenir系统的RF PVD解决了22nm及以下节点的高K/金属栅 极应用以及逻辑接触硅化物问题。 | |
| Endura Cirrus HT CO PVD | Endura Cirrus HT Co PVD系统可通过增强功能来实现所需的硅化物覆盖 率，以应对缩小的接触面积和增加的深宽比所带来的挑战。 | |
| Endura Cirrus HTX PVD | Endura Cirrus HTX PVD系统采用了频率极高的RF源，以产生便于修改 薄膜的结晶定向的高度电离化等离子体，从而解决了应力和密度之间的棘 手权衡。 | |
| Endura Impulse PCRAM PVD | Endura Impulse PVD系统是用于相变随机存取存储器(PCRAM)和电阻 式随机存取存储器(ReRAM)器件大规模量产(HVM)且具有生产价值的集 成材料解决方案。 | |
| Endura loniq WPVD | Endura loniq PVD系统是一种Integrated Materials SolutionTM(集成 材料解决方案),它在一个高度真空的平台上将先进的制造工艺与CVD技术和预处理腔室相结合，可在各种导线应用中实现纯钨(W)材料金属化。 | |
| Endura PVD | 高度可配置的Endura平台支持两个可去除原生氧化物的预清洁腔室、多 达六个PVD腔室以及两个MOCVD腔室(可选),以确保满足客户薄膜沉积和器件性能要求。 | |
| Endura Ventura PVD | Endura Ventura PVD系统专为TSV金属化而设计，是公司在物理气相沉 积(PVD)领域的最新创新，使客户能够将其2D镶嵌集成基础设施和专门技术扩展到深宽比≥10:1的TSV和2.5D中介层应用。它也是首个面向TSV的PVD系统，可实现具有量产价值的钛阻挡层沉积。 | |
| Endura Versa XLR2 W PVD | Versa XLR2W系统所生产的电阻率更低的钨是微缩的促成者，它将扩展 作为位线金属的钨在用于1xnm节点的DRAM技术中的用途。 | |
| Endura iLB PVD/ALD | 该系统以低成本高效的方式利用ALD(原子层沉积)技术，通过90%以上覆盖超薄、均匀、优质的阻挡膜，将客户现有的iLB PVD/CVD安装基础扩展至32nm及之上。 | |
| Pika PVD | Pika PVD系统是当今业界体积最小、速度最快的单晶圆PVD设备，设计 用于以较低的拥有成本开展高性能研发和小批量生产。 | |
| Topaz PVD | Applied Topaz PVD系统可满足市场对PLP(面板级封装)不断增长的需求，凭借领先的技术能力，可处理最大尺寸为600mmx600mm的衬底。 | |
| 钴产品套件 | 可以使用钴作为导电材料，从而维持高性能逻辑晶体管和互连的缩放。 | |
| 微机电系统(MEMS) | Centura DXZ CVD | Centura DXZ系统设计显著优化了成本、吞吐量、易维护性和可靠性。该 系统采用单晶圆、多腔室架构，可提供高达80wph的正硅酸乙酯(TEOS)和碳化硅(SiC)吞吐量(3,000APE正硅酸乙酯和等离子硅烷)和35wph的非掺杂二氧化硅晶体(USG)吞吐量(2000ASACVDUSG)。 |
| Centura Epi 200mm | 200毫米Centura Epi平台现在可以配置Siconi预清洗腔，可实现低温原 生氧化物去除，从而减少外延工艺的热预算，并减轻等候时间变动所造成 的工艺偏差。 | |
| Centura Etch刻蚀 | 应用材料公司Centura刻蚀反应器解决了以下难题：MEMS深宽比 >100:1的硅刻蚀、SJMOSFET一体化硬掩模开槽带以及面向LED和功率 器件的氧化铟锡和氮化镓等新材料。 | |
| Endura PVD | 高度可配置的Endura平台支持两个可去除原生氧化物的预清洁腔室、多 达六个PVD腔室以及两个MOCVD腔室，以确保满足客户薄膜沉积和器 件性能要求。 | |
| Mirra CMP 200mm | 应用材料公司的Mirra系统可以用来抛光硅、STI氧化物、多晶硅和金属 钨，它还集成了Mesa清洗器，可以有效清除研磨后的晶圆表面上附着的 研磨液，阻止研磨液残留，从而最大限度地减少微粒和水印带来的产品缺 陷 。 | |
| Producer CVD | Producer平台能处理150毫米、200毫米和300毫米晶圆，其创新的Twin Chamber双腔室结构可同时处理多达六片晶圆。借助陶瓷加热器和腔室组件以及用于腔室清洁的远程等离子体源，可将CVD膜的缺陷率降至最低。 | |
| ECD(电化学沉积) | Nokota | 支持各种封装方案中采用的所有电镀工序，可用于150mm、200mm和 300mm操作，并显著提高电镀工序的生产效率 |
| Raider | Raider ECD系统占地面积小、产能高，适用于150mm-300mm单晶圆 自动化、多腔室电化学沉积。 | |
| Metrology and Inspection(测量与检 测 ) | Aera4 Mask Inspection | Aera"4 Mask Inspection采用193nm工作波长的第四代检测工具，将 真实空间成像技术与前沿的高分辨率成像技术相结合 |
| Enlight Optical Inspection | Enlight光学检测系统，把领先业界的速度与高分辨率及先进光学扫描技 术(每次扫描能收集更多的数据)相结合，使芯片制造商能够达到所需的极高检测灵敏度、更频繁地检测、收集更多的数据、提高良率、降低单位晶圆成本 | |
| PROVision 3E eBeam Metrology | PROVision 3E系统通过将纳米级分辨率、高速和穿透成像合而为一，可生成数百万个数据点来正确地完成当今最先进的芯片设计图形化的需求 | |
| PrimeVision 10 eBeam Inspection | rimeVision 10 eBeam检测系统将新型冷场发射(CFE)技术与业界一流的 背散射电子(BSE)检测相结合，在成像速度和灵敏度上实现了飞跃，可检测各类型缺陷，并有助于将3D器件(例如全环绕栅极晶体管)投入大规模量产。 | |
| SEMVision G10 Defect Analysis | SEMVision G10缺陷复查系统集成新开发的冷场发射(CFE)技术，并提供 业界领先的亚纳米级分辨率，采用最先进的自动化解决方案并进行拓展， 从而提高晶圆厂生产效率。 | |
| UVision 8 Inspection | UVision 8系统采用DUV激光照明和全偏振控制的核心技术，以及该产品系列所特有的同步双通道(亮视野反射光和灰视野散射光)光学汇聚技术，缩短设置时间，提高坐标精度。 | |
| VeritySEM 10 Critical Dimension (CD) Metrology | VeritySEM 10测量平台专用于测量EUV和高数值孔径EUV图形化所形成特征的关键尺寸 | |
| RTP(快速热处理) | Centura DPN HD | Centura DPN HD(高浓度)系统由集成到Centura主机上的等离子氮化和氮化后退火(PNA)工艺腔室组成，将DPN(去耦合等离子氮化)系列产品的氮化能力拓展用于动态随机存储器(DRAM)外围栅，进一步完善了应用材料公司长期领先业界的逻辑器件氮化技术。 |
| ProducerPyra退火系统 | 要针对MOL/BEOL空间中低温度范围的应用。Pyra系统生产效率高，专 为大批量、均温退火而设计，充分利用经过生产验证、运行成本低而又能 保障不影响器件性能。 | |
| Vantage Astra DSA | Vantage Astra DSA(动态表面退火)系统是应用材料公司首个采用激光技术的退火机床，可提供无以伦比的性能，满足机台持续扩展所必需的先进硅化工艺需求。 | |
| Vantage Radox RTP | Vantage RadOx RTP利用自由基氧化反应，能够以低热预算生长高密度、高质量的氧化层 | |
| Vantage Radiance Plus RTP | Vantage RadiancePlus RTP是世界一流的RTP腔室技术与经过生产验证的低拥有成本平台相结合的高产量常压RTP应用，它采用流线型设计，便于作为单一机台运输，从而能够更快启动和投产。 | |
| Vantage Vulcan RTP | 在继承上一代Vantage Radiance Plus RTP系统的先进尖峰退火功能的基础上，结合亚秒级退火、超低温退火和多种金属退火等工艺，除了极佳的温度均匀性，该系统还提供从超低温到超高温(150℃-1300℃)的宽泛加工范围从而实现工艺多样性。 | |
| POWER | Centura DXZ CVD | Centura DXZ系统设计显著优化了成本(例如零耗材的处理套件)、吞吐量、易维护性和可靠性。该系统采用单晶圆、多腔室架构，可提供高达80wph的正硅酸乙酯(TEOS)和碳化硅(SiC)吞吐量(3,000APE正硅酸乙酯和等离子硅烷)和高达35wph的非掺杂二氧化硅晶体(USG)吞吐量(2000ASACVD USG)。 |
| Centura Epi 200mm | 应用材料公司的Centura Epi系统每个采用辐射加热的工艺腔室均可以提供精确和可重复的沉积条件控制，并可以实现完全无滑移的薄膜、出色的薄膜厚度和电阻率均匀性，以及低缺陷水平。凭借宽泛的温度和压力特性出色的温度均匀性以及灵活的气体面板配置，Centura Epi系统可支持先进的低温外延和多晶沉积工艺，包括锗和硅锗。此外，能够配置多达三个工艺腔室和经过优化的硬件，以实现卓越的原位腔室清洁，从而提供市场领先的吞吐量密度和较低的拥有成本。 | |
| Centura Etch刻蚀 | 在200mm技术上，Centura刻蚀可以实现MEMS深宽比>100:1的硅刻蚀、SJMOSFET一体化硬掩模开槽带以及面向LED和功率器件的氧化铟锡和氮化镓等新材料。 | |
| Endura PVD | ndura能够以严格的薄膜厚度控制、出色的底部覆盖率和高共形性沉积多种超纯薄膜，提供跨越前段金属化(如钴、钨、铝和铜互连)以及凸点下金属化等封装应用的沉积功能 | |
| Mirra CMP 200mm | 可以针对性地处理比较硬的衬底材料，比如碳化硅(SiC),经过生产验证的全自动处理系统，晶圆干进/干出，而且集成了清洗、干燥、去除率测量和晶圆ID识别功能，适用于晶圆大规模量产，同时保证优越的晶圆表面质量。 | |
| Producer CVD | Producer平台能处理150毫米、200毫米和300毫米晶圆，可同时处理多达六片晶圆，具有极佳的生产效率，装载腔晶圆映射、到清晰的晶圆定向、再到晶片放置，该平台能可靠而细致地处理各种MtM衬底。 |
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