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揭秘顶尖科技前沿_3---LAM半导体设备全览
发布日期:2024-08-13
制程区分产品系列产品型号产品简介及应用
沉积ALTUSALD/CVDConcept TwO ALTUS钨插塞、接触孔和通孔填充;
3D NAND字线;
低应力复合互连;
用于通孔和接触孔金属化的WN阻挡膜
ALTUS Max
ALTUS Max ExtremeFill
ALTUS DirectFill Max
ALTUS Max ICEFill
ALTUS LFW
RELIANT沉积CVD/HDP-CVD/
PECVD/
RELIANT SYSTEMS
Concept Two ALTUS化学气相沉积(CVD)钨;
高密度等离子体(HDP)化学气相沉积
间隙填充氧化物;
等离子加强化学气相沉积(PECVD)硅
烷氧化物、氮化物和氧氮化物;
Concept Two SEQUEL
Concept Two SPEED
SPEED Max
SPEED Max
SABRE 3DECDSABRE 3D硅通孔
SABRE 3D xT铜柱
SABREECDSABRE Extreme逻辑互连
存储器互连
SABRE Max
SABRE Excel
SOLAUVTPSOLA Excel氮化物薄膜应力处理
SPEEDHDP-CVDSPEED NExT浅沟槽隔离(STI)
SPEED Max金属前介电(PMD)
STRIKERALDStriker间隙填充介电材料
Striker FE适形衬垫
VECTORPECVDVECTOR硬掩膜
VECTOR TEOS防反射层(ARL)
VECTOR AHM钝化层
VECTOR MD扩散阻挡膜
VECTOR Strata3D NAND多层叠层薄膜
刻蚀CORONUSPLASMA BEVEL ETCH
&DEPOSITION
Coronus浅沟槽隔离(STI)栅极、中段制(MOL)和后段制程(BEOL)刻蚀工艺后
Coronus HP
Coronus DX
DSiEDRIEDSiE ⅢMEMS深硅刻蚀(沟槽、空腔)
功率器件硅沟槽刻蚀
硅片级封装硅通孔
DSiE F Series
DSiE G Series
FLEXALE/
REACTIVE ION ETCH
Exelan Flex低k和超低k双重大马士革制造
自对准接触孔
电容单元
掩膜蚀刻
3D NAND高深宽比孔洞、沟槽、接触孔
Exelan Flex45
Flex D系列
Flex E系列
Flex F系列
Flex G系列
KIYOREACTIVE ION ETCHVersys Kiyo浅沟槽隔离
源极/漏极工程
高k/金属栅极
FinFET和三态栅极
双重和四重图案化
Versys Kiyo45
Kiyo C系列
Kiyo E系列
Kiyo F系列
RELIANT刻蚀DRIE/
REACTIVE ION ETCH/
RELIANT SYSTEMS
Kiyo系列(through Kiyo45)导体刻蚀
介电质刻蚀
金属刻蚀
特种膜刻蚀(锆钛酸铅(PZT)、GaN、AIGaN、SiC等)
Flex系列(through Flex45)
Exelan系列
DSiE系列
TCP 9400系列
SENSE.IALE/DRIESense.i导体刻蚀
介电质刻蚀
Syndion
Syndion C高带宽内存和高级封装的硅通孔
CMOS图像传感器的高纵横比结构
高级功率器件、模拟集成电路(IC)、微机电(MEMS)器件和晶圆背面加工的大开口
面积和高纵横比结构
Syndion F-系列
Syndion G-系列
VantexDRIE REACTIVE
ION ETCH
Vantex3D NAND高深宽比通孔、沟槽和接点
电容器单元
VERSYS
METAL
REACTIVE ION ETCHVersys MetalTiN金属硬掩膜
高密度铝线
铝焊盘
Versys Metal45
Versys Metal L
Versys Metal M
选择性刻蚀SELECTIVE ETCHArgos虚拟多晶硅去除
SiGe去除(GAA)
氧化物沟槽
Prevos
Selis


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