| 制程区分 | 产品系列 | 产品型号 | 产品简介及应用 | |
| 沉积 | ALTUS | ALD/CVD | Concept TwO ALTUS | 钨插塞、接触孔和通孔填充； 3D NAND字线； 低应力复合互连； 用于通孔和接触孔金属化的WN阻挡膜 |
| ALTUS Max | ||||
| ALTUS Max ExtremeFill | ||||
| ALTUS DirectFill Max | ||||
| ALTUS Max ICEFill | ||||
| ALTUS LFW | ||||
| RELIANT沉积 | CVD/HDP-CVD/ PECVD/ RELIANT SYSTEMS | Concept Two ALTUS | 化学气相沉积(CVD)钨； 高密度等离子体(HDP)化学气相沉积 间隙填充氧化物； 等离子加强化学气相沉积(PECVD)硅 烷氧化物、氮化物和氧氮化物； | |
| Concept Two SEQUEL | ||||
| Concept Two SPEED | ||||
| SPEED Max | ||||
| SPEED Max | ||||
| SABRE 3D | ECD | SABRE 3D | 硅通孔 | |
| SABRE 3D xT | 铜柱 | |||
| SABRE | ECD | SABRE Extreme | 逻辑互连 存储器互连 | |
| SABRE Max | ||||
| SABRE Excel | ||||
| SOLA | UVTP | SOLA Excel | 氮化物薄膜应力处理 | |
| SPEED | HDP-CVD | SPEED NExT | 浅沟槽隔离(STI) | |
| SPEED Max | 金属前介电(PMD) | |||
| STRIKER | ALD | Striker | 间隙填充介电材料 | |
| Striker FE | 适形衬垫 | |||
| VECTOR | PECVD | VECTOR | 硬掩膜 | |
| VECTOR TEOS | 防反射层(ARL) | |||
| VECTOR AHM | 钝化层 | |||
| VECTOR MD | 扩散阻挡膜 | |||
| VECTOR Strata | 3D NAND多层叠层薄膜 | |||
| 刻蚀 | CORONUS | PLASMA BEVEL ETCH &DEPOSITION | Coronus | 浅沟槽隔离(STI)、栅极、中段制(MOL)和后段制程(BEOL)刻蚀工艺后 |
| Coronus HP | ||||
| Coronus DX | ||||
| DSiE | DRIE | DSiE Ⅲ | MEMS深硅刻蚀(沟槽、空腔) 功率器件硅沟槽刻蚀 硅片级封装硅通孔 | |
| DSiE F Series | ||||
| DSiE G Series | ||||
| FLEX | ALE/ REACTIVE ION ETCH | Exelan Flex | 低k和超低k双重大马士革制造 自对准接触孔 电容单元 掩膜蚀刻 3D NAND高深宽比孔洞、沟槽、接触孔 | |
| Exelan Flex45 | ||||
| Flex D系列 | ||||
| Flex E系列 | ||||
| Flex F系列 | ||||
| Flex G系列 | ||||
| KIYO | REACTIVE ION ETCH | Versys Kiyo | 浅沟槽隔离 源极/漏极工程 高k/金属栅极 FinFET和三态栅极 双重和四重图案化 | |
| Versys Kiyo45 | ||||
| Kiyo C系列 | ||||
| Kiyo E系列 | ||||
| Kiyo F系列 | ||||
| RELIANT刻蚀 | DRIE/ REACTIVE ION ETCH/ RELIANT SYSTEMS | Kiyo系列(through Kiyo45) | 导体刻蚀 介电质刻蚀 金属刻蚀 特种膜刻蚀(锆钛酸铅(PZT)、GaN、AIGaN、SiC等) | |
| Flex系列(through Flex45) | ||||
| Exelan系列 | ||||
| DSiE系列 | ||||
| TCP 9400系列 | ||||
| SENSE.I | ALE/DRIE | Sense.i | 导体刻蚀 介电质刻蚀 | |
| Syndion | Syndion C | 高带宽内存和高级封装的硅通孔 CMOS图像传感器的高纵横比结构 高级功率器件、模拟集成电路(IC)、微机电(MEMS)器件和晶圆背面加工的大开口 面积和高纵横比结构 | ||
| Syndion F-系列 | ||||
| Syndion G-系列 | ||||
| Vantex | DRIE REACTIVE ION ETCH | Vantex | 3D NAND高深宽比通孔、沟槽和接点 电容器单元 | |
| VERSYS METAL | REACTIVE ION ETCH | Versys Metal | TiN金属硬掩膜 高密度铝线 铝焊盘 | |
| Versys Metal45 | ||||
| Versys Metal L | ||||
| Versys Metal M | ||||
| 选择性刻蚀 | SELECTIVE ETCH | Argos | 虚拟多晶硅去除 SiGe去除(GAA) 氧化物沟槽 | |
| Prevos | ||||
| Selis | ||||
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