一、半导体衬底材料的发展进程

注意：

             虽然相较于前两代材料，碳化硅具有耐高压、耐高温、低损耗等优越性能，广泛应用于制作高温、高频、大功率和抗辐射电子器件。但是当前半导体材料各自下游应用领域的重合度并不高，因此不同半导体材料之间并非代际迭代关系。

二、各类衬底材料的性能参数及优势

资料来源：北京通美招股说明书

三、碳化硅半导体材料 

        l第三代半导体性能优越，应用场景更广：

         半导体材料作为电子信息技术发展的基础，经历了数代的更迭。随着应用场景提出更高的要求，以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体材料逐渐进入产业化加速放量阶段，广泛应用于制作高温、高频、大功率和抗辐射电子器件。

资料来源：Wolfspeed 投资者报告，海通国际

        l碳化硅材料的优势分析：

四、碳化硅晶片工艺流程

        碳化硅衬底是由高纯硅、碳粉经过合成成 SiC 微粉后，通过物理气相沉积法（PVT）生长成为晶锭，之后加工得到标准直径尺寸的碳化硅晶体，再经过切磨抛工艺获得表面无损伤的碳化硅抛光片，最后对其进行检测、清洗形成可交付下游外延厂商使用碳化硅衬底。

资料来源：Wolfspeed 投资者报告，海通国际

五、第三代半导体材料产业链

资料来源：Wolfspeed 投资者报告，海通国际

资料来源：北京通美招股说明书

六、我国第三代半导体企业分布地图

数据来源：CASA Research